• <big id="a549v"><nobr id="a549v"><track id="a549v"></track></nobr></big>
    1. <code id="a549v"></code>
      1. <code id="a549v"></code>
        <nav id="a549v"><video id="a549v"></video></nav>
        <th id="a549v"></th>

          首頁 > 新聞中心 > 行業新聞

          淺談MEMS器件

          時間:2018-05-19 16:43:55

            MEMS器件很快在射頻性能上超過固態電子器件,即使早期的MEMS器件在20GHz時的開態插入損耗也只有0.15dB,在相同頻率下的一個典型GaAs-FET或PIN二極管的插入損耗接近1dB。
            在低于1GHz頻率的應用情況中,固態電子開關仍然是首選。它們很便宜、低損耗、易于集成,應用廣泛。固態電子開關在千兆赫茲以上時,損耗開始增加,并變得難于集成進開關。這時候MEMS開關的優勢就變得明顯起來。它們既沒有固態電子開關快,可靠性也不高,但它們在電氣性能上比固態電子開關更勝一籌。MEMS開關即使在40GHz時,插入損耗也很容易達到0.1dB。開關時間一般在幾十微秒,循環次數達到幾十億次。近年來,處理功率達到幾瓦的開關也已被報道。
           

          女人与公拘交酡全过程_999久久久国产精品齐齐齐_久久激情视频这里有精品3_男女后式激烈动态图片