產品特性：
· 完全工作頻率低至 0 Hz/DC
· 超長驅動壽命：10 億次
· 低插入損耗：0.18 dB(典型值,5GHz)
· 高隔離度：23 dB(典型值,5GHz)
· 高線性度IIP3：69 dBm(典型值)
· 導通切換時間：60 μs(典型值)
· 射頻(RF)功率額度值：30 dBm(最大)
· 導通電阻：0.5 Ω （典型值）
· 電源電壓：DC 30 V 至 50 V（標稱值）
· 零功耗工作
| 典型性能 |
產品應用 |
| 完全工作頻率 |
低至 0 Hz/DC |
繼電器替代方案
自動測試設備(ATE)：RF/數字/混合信號
負載/探針板：RF/數字/混合信號
RF測試儀表
可重復配置型濾波器/衰減器
高性能RF開關 |
| 驅動壽命 |
10 億次（最小值） |
| 帶寬 |
6 GHz（典型值） |
| 插入損耗 |
0.18 dB（典型值，5 GHz） |
| 隔離度 |
23 dB（典型值，5 GHz） |
| 高線性度IIP3 |
69 dBm（典型值） |
| 導通切換時間 |
30 μs（典型值） |
| 射頻(RF)功率額定值 |
30dBm（最大） |
| 導通電阻 |
0.5 Ω（典型值） |
| 下拉電壓 |
DC 30 V 至 50 V（標稱值） |
| 工作溫度 |
-25℃ ~ 85℃ |
| 機械沖擊 |
MIL-STD-883，M5005 1500g，0.5 ms |
| 振動實驗 |
50g 正弦掃描，20 Hz ~ 2000 Hz |
| 封裝形式 |
LGA 封裝 |
蘇公網安備 32059002003909號 技術支持：恩斯特網絡 昆山網站制作
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RF MEMS開關
RF MEMS衰減器
RF MEMS移相器
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